Американские ученые создали магнитоэлектрическую память

Американским ученым удалось создать магнитоэлектрическую память, сохраняющую много информации при небольшом размере устройства. Также оно практически не расходует энергию и может работать долговечно.

ОЗУ – основной компонент гаджета и ПК, так что микросхема с записями данный является самым распространенным видом. Но сейчас новинка подойдет для таких процессов лучше из-за расширенного запаса ресурсов. MELRAM включает два компонента, имеющие разные свойства.



Они отвечают за сохранность энергии и хранение информации. Данная разработка способна избавить рынок от привычных аналогов, так как кроме длительного применения магнитоэлектрическая память не подвержена перепадам напряжения и может стабильно работать в таких условиях.