Российские физики протестировали новый материал для создания нейрокомпьютеров

Группа российских ученых из Института лазерных и плазменных технологий НИЯУ МИФИ, Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, а также Института физики твердого тела РАН, создали и уже протестировали новый материал для создания нейрокомпьютеров. Инновационный материал создан на основе мемристоров, и он может стать основой для разработки мемкомпьютинга, который позволит обрабатывать информацию оперативной памяти по аналогии с нейронами мозга человека.

Группа российских ученых в своей работе смогла создать принципиально новые материалы для реализации биполярного эффекта резистивного переключения. Изобретение может в будущем послужить основой для разработки компьютеров на мемристорах, которые хранят и обрабатывают данные по аналогии с нейронами головного мозга человека.

При помощи резистивного переключения, который производится под влиянием внешнего электрического поля, проводимость способна меняться на несколько порядков.

Новая разработка позволяет реализовывать два метастабильных состояния, а именно низкорезистивного и высокорезистивного. И именно вид материала влияет на особенности физического механизма переключения.