Свежие новости
Актуальное за неделю
21 май 03:09Технологии
Кампания Samsung разрабатывает 3-нанометровые процессоры
Компания Samsung рассказала о своих научных достижениях в разработке процессора GAA. Уровень детализации составит 3 нм, что позволит процессу использовать большую эффективность ширины канала. Компания уже давно запатентовала разработку GAA под названием MBCFET. Первая версия GAA имеет ряд недостатков из-за использования нанопроводов.
MBCFET основана на нанолистах, которые лучше интегрируются в кристалл и создают высокий уровень тока. Компания Samsung заключила договор о сотрудничестве с IBM, чтобы совместно создать барьер для уменьшения электростатических показателей. Данная проблема уменьшает и разрушает производительность микрочипов.
Материал нового процессора защищает канал со всех сторон, чтобы оптимизировать работу системы до 0,75 B. GAA полностью совмещается с транзистором FinFet, что позволит сэкономить время на оптимизацию микросхем. Руководство Samsung сообщило, что оно намерено продолжить разработку процессора с детализацией 3 нм, 5 нм, 6 нм, 7 нм.
MBCFET основана на нанолистах, которые лучше интегрируются в кристалл и создают высокий уровень тока. Компания Samsung заключила договор о сотрудничестве с IBM, чтобы совместно создать барьер для уменьшения электростатических показателей. Данная проблема уменьшает и разрушает производительность микрочипов.
Материал нового процессора защищает канал со всех сторон, чтобы оптимизировать работу системы до 0,75 B. GAA полностью совмещается с транзистором FinFet, что позволит сэкономить время на оптимизацию микросхем. Руководство Samsung сообщило, что оно намерено продолжить разработку процессора с детализацией 3 нм, 5 нм, 6 нм, 7 нм.
Автор: Ященко Даниил
Читайте также
Актуальное за месяц
